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我們?cè)谑褂肕OS管的過程中容易因?yàn)閾舸┖挽o電產(chǎn)生不良,下面是合芯半導(dǎo)體對(duì)客戶的一些建議。
1. 標(biāo)注的Id電流是MOS芯片的最大工作電流,實(shí)際使用時(shí)的最大工作電流還要受封裝的最大電流限制。因此客戶設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)的最大使用電流設(shè)定要考慮封裝的最大電流限制。建議客戶設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)的最大使用電流設(shè)定更重要的是要考慮MOS的內(nèi)阻參數(shù)。我們建議客戶使用60%以內(nèi)電流防止發(fā)熱損壞器件,比如,標(biāo)注是10A客戶在6A內(nèi)使用。
2. 建議在MOS的柵源(G/S)極之間并一個(gè)電阻(比如10K)和一個(gè)穩(wěn)壓二極管(5V-12V)起到保護(hù)柵源(G/S)極過壓的作用。
3.建議MOS管的盡量提高開啟電壓,這樣才能充分開啟導(dǎo)通MOS管,這個(gè)時(shí)候內(nèi)阻小,不容易發(fā)燙。一般建議低壓MOS的VGS開啟電壓設(shè)定為4.5V以上,中高壓MOS的開啟電壓設(shè)定為10V以上.
4.MOS 電路操作注意事項(xiàng):
靜電在很多地方都會(huì)產(chǎn)生,采取下面的預(yù)防措施,可以有效防止MOS 電路由于受靜電放電影響而引起的損壞:
? 操作人員要通過防靜電腕帶接地。
? 設(shè)備外殼必須接地。
? 裝配過程中使用的工具必須接地。
? 必須采用導(dǎo)體包裝或抗靜電材料包裝或運(yùn)輸
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